传感器的封装 甬矽电子申请传感器封装结构和传感器封装制作方法专利，提升芯片集成度改善散热性能
甬矽电子申请传感器封装结构和传感器封装制作方法专利，提升芯片集成度改善散热性能
金融界 2024 年 7 月 12 日消息，天眼查知识产权信息显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司申请一项名为“传感器封装结构和传感器封装制作方法“，公开号 CN202410749003.9，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本申请提供的一种传感器封装结构和传感器封装制作方法，涉及半导体封装技术领域。该传感器封装结构包括第一基板、第一芯片、散热片和第二芯片。第一基板上设有第一焊盘和第二焊盘。第一芯片设于第一基板上，且与第一焊盘电连接。散热片设于第一芯片远离第一基板的一侧；散热片上设有下沉槽；下沉槽位于相邻第一芯片之间。第二芯片设于下沉槽内，第二芯片和第二焊盘电连接。下沉槽远离第二芯片的一侧与第一基板之间具有第一间隙。该结构提升了芯片的集成度，改善散热性能。
本文源自金融界
CMOS 传感器的封装-封装形式与模块结构
1 CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）
CMOS 中文为互补金属氧化物半导体。一般所谓的CIS即是CMOS Image Sensor的缩写。其感光像素的构成是阵列式结构，它主要以MOS电容或p-n结感光二极管组成（若以MOS电容为刚光像素元件者称为Photogate型；若以二极管为感光像素元件称为Photodiode型）。一般而言，Photogate型的CMOS容易吸收蓝光，故目前市场上的发展还是以Photodiode型为主流。
在设计方面，CMOS图像传感器主要可分为主动像素传感器（Acitve Pixel Sensor）与被动像素传感器（Passive Pixel Sensor）两种
被动像素传感器的主要设计是将每个独立的晶体管置于每个图像传感单元处（像素）充当开关，当光纤激发出电子后，将电子存储与电容中，再有每行末端的放大器读取位于（行，列）交会处电容器所积存的电子信号进行放大。
主动像素传感器则是直接在每一个单位像素加上放大器及噪声控制组件，让噪声受到控制，图像质量得到明显的改善。
2 CMOS封装种类
下图1 所示为COMS图像传感器的基本结构。一般而言，整个支撑芯片基座的主要材料可以分为两种：
一种为BT材质的塑胶底座，再加上它上面的基板堤坝（Dam），就可形成所谓“基板”主体。
另一种为陶瓷基板基座（Ceramic Substrate），其封装方式大都是陶瓷底座与它上面的基板堤坝以共烧结的方式结合，如图2的剖面。上述两种类型的封装结构为目前大部分图像传感器封装公司所采用。
图1 COMS图像传感器的基本结构
图2 COMS图像传感器封装侧面基本结构
除了上述两种类型的支持基座以外，还有现在采用的一种特殊的COB封装方案如下图3，以电路板FR4为支持基础芯片材料，将芯片通过胶水粘结在电路板子表面，然后通过绑线与电路板的pad进行电连接。
图3 COMS图像传感器COB封装基本结构
3 CMOS图像传感器模块结构设计
一般来说，用于COMS图像传感器的模块称为CCM（Compact Camera Module），它的封装结构可分为三种基本类型。
第一种所谓的POF（Package On Flex）类型的主体架构，顾名思义既是将整个封装的图像传感器芯片CMOS，连同之程基板（Substate）一起粘结在可弯曲的柔性基板上，如图4所示
图4 CCM 模块结构设计类型-POF
另一种模块类型则是所谓的COF（Chip On Flex）类型的主体架构，其结构体中的传感器芯片不经过任何支撑基座而直接与可弯曲的柔性基板结合，chip柔板由柔性部分和芯片底部分的硬板或者铜板组成。如图5 所以。
图5 CCM 模块结构设计类型-COF
最后一种模块结构类型以镜座（Holder）为主题的结构，它与第一种POF结构相类似，唯一不同的是它是将镜座整个罩在芯片上而进行封装模块的一种形式。
图6 CCM 模块结构设计类型-镜座
目前市场上面各家的模块封装工艺稍有不同但是大都大同小异，如下图为iphone红外人脸识别模组与一般普通的手机模块拆解结构。
图7 Iphone人脸识别Sensor 模组结构
图8 普通可变焦Sensor 模组结构
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