三轴式传感器 北京大学申请一种单芯片集成三轴力传感器及其制备方法专利，实现三轴力高分辨率，高线性度，低耦合，低温漂传感检测

北京大学申请一种单芯片集成三轴力传感器及其制备方法专利，实现三轴力高分辨率、高线性度、低耦合、低温漂传感检测

金融界2024年2月7日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种单芯片集成三轴力传感器及其制备方法“，公开号CN117516786A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明涉及微机电系统和集成电路技术领域，特别是关于一种单芯片集成式三轴力传感器及其制备方法。集成式三轴力传感器由三轴力传感器和电路系统组成，三轴力传感器由应变体、位于应变体中央的受力体、支撑应变体和受力体的框架、以及嵌入于应变体中的力敏电阻组成，能同时检测法向力与剪切力；电路系统实现三轴力传感器信号的高信噪比检测。所述集成式三轴力传感器使用SOI CMOS或者体硅CMOS工艺，以及post‑MEMS工艺把三轴力传感器和电路系统制备在一个芯片上，可显著提高三轴力传感器的信噪比，实现三轴力高分辨率、高线性度、低耦合、低温漂传感检测，还可以减小三轴力传感器的体积、重量和成本。

本文源自金融界

芯动联科申请一种三轴MEMS加速度传感器及其Z轴感测单元的制造方法专利，制造成本低

金融界2024年6月25日消息，天眼查知识产权信息显示，安徽芯动联科微系统股份有限公司申请一项名为“一种三轴MEMS加速度传感器及其Z轴感测单元的制造方法”，公开号CN202410263974.2，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明公开一种三轴MEMS加速度传感器，由X、Y、Z三个独立的感测单元构成，X、Y轴感测单元均由外延多晶硅单独制作；Z轴感测单元由外延多晶硅和下层多晶硅共同制作，下层多晶硅通过Z轴电极锚点固定在衬底上，作为Z轴固定电极，外延多晶硅作为Z轴可动电极，由于MEMS结构只通过支撑锚点与衬底连接，衬底应力对器件的影响较小。其Z轴感测单元的制造方法是先在第一氧化层上形成下层多晶硅图形，再淀积第二氧化层并形成通孔图形，接着通过外延工艺形成外延多晶硅层，再刻蚀外延多晶硅层并加长时间刻蚀通孔多晶硅和下层多晶硅，最后HF腐蚀除去部分第二氧化层和第一氧化层，释放MEMS结构，由于不需要昂贵的SOI圆片，制造成本低。

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