光敏传感器图 实例详解电子元器件 光敏电阻实物图,电路符号,原理,应用电路
实例详解电子元器件 光敏电阻实物图、电路符号、原理、应用电路
光敏电阻实物
下图是几种常见的光敏电阻实物图,由图可见,光敏电阻有两个引脚,并且引脚没有正负极之分。
光敏电阻电路符号
下图为光敏电阻在电路中的图形符号,
光敏电阻结构及原理
光敏电阻的结构示意图和原理示意图见下图。
其基本原理是光电效应。在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压,其中便有电流通过,受到适当波长的光线照射时,电流就会随光强的增大而变大,从而实现光电转换。
光敏电阻分类
光敏电阻按其光谱特性,可分为可见光光敏电阻、紫外光光敏电阻、红外光光敏电阻。
可见光光敏电阻如下图所示,主要用于各种光电自动控制系统、电子照相机和光报警器等电子产品中,如光控夜灯、照相机、人体感应开关等。
紫外光光敏电阻主要用于紫外线探测仪等。如下图。
红外光光敏电阻主要用于天文、军事等领域的自动控制系统中。如下图。
光敏电阻主要参数
光敏电阻的主要参数有亮电阻、暗电阻、最高工作电压、亮电流、暗电流、时间常数、电阻温度系数、灵敏度等。
暗电阻
光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值。
亮电阻
光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻值。
光敏电阻的暗阻越大越好,亮阻越小越好,这样光敏电阻的灵敏度最高。
暗电流
光敏电阻在无光照时,在规定的外加电压下通过的电流。
亮电流
光敏电阻在规定的外加电压受到光照时所通过的电流。
亮电流与暗电流之差称为光电流。
时间常数
光敏电阻从光照跃变开始到稳定亮电流的63%时所需的时间。
电阻温度系数
光敏电阻在环境温度改变1度时,其电阻值的相对变化。
灵敏度
光敏电阻在有光照和无光照时电阻值的相对变化。
光敏电阻伏安特性
下图所示是光敏电阻伏安特性曲线。
它是在一定光照条件下,光敏电阻两端所加电压与流过光敏电阻电流之间的关系特性,从图中可以看出光敏电阻的伏安特性近似为直线,而且没有饱和现象。
光敏电阻的光电流与光照度之间关系称为光电特性。从曲线中可以看出,光照度增强,电流增大,说明光敏电阻的阻值在减小。
光敏电阻的光电特性呈非线性,因此不适宜做检测元件,这是光敏电阻的一个缺点。
光敏电阻的光电特性
下图为光敏电阻的光电特性曲线。
光敏电阻应用电路
光敏电阻控制电路下如所示是一种光敏电阻控制电路。电路中,R2是光敏电阻,K是继电器,VT2是继电器驱动管,RP1是灵敏度可调的可变电阻器。
光线亮时电路
当光线亮时,光敏电阻R2阻值比较小,这时RP1、R1、R2构成的分压电路输出电压比较小,即加到VT1基级的直流电压比较低,VT1处于截止状态,VT2也处于截止状态,继电器K中没有电流,继电器不会动作,常闭触点处于闭合状态,常开触点处于断开状态。
光线暗时电路
当光线暗时,光敏电阻R2阻值增加比较大,这时RP1、R1、R2构成的分压电路输出电压比较大,即加到VT1基级的直流电压比较高,高到足以使VT1处于导通状态,VT1发射极电压通过R4加到VT2基级,VT2也处于导通状态,继电器K中有电流,继电器动作,常闭触点处于断开状态,常开触点处于闭合状态。
改变PR1的阻值可以调节灵敏度,即光线暗到何等程度能使继电器动作。当PR1阻值减小时,VT1基级直流电压升高,也就是光线稍暗些,R2阻值稍增大些就能是继电器动作,所以是灵敏度提高了,反之则是灵敏度降低了。
光控开关电路下图是光控开关电路,可用在楼道、路灯等公共场合。它在天黑时自动亮灯,天亮时自动熄灯。电路中,VS1是晶闸管,R1是光敏电阻。
当光线亮时,光敏电阻R1阻值较小,220V交流电压经过VD1整流后的单向脉冲性直流电压在RP1和R1分压后的电压小,加到晶闸管VS1控制极的电压小,这时晶闸管VX1不能导通,所以灯HL回路无电流,灯不亮。
当光线暗时,光敏电阻R1阻值变大,220V交流电压经过VD1整流后的单向脉冲性直流电压在RP1和R1分压后的电压大,加到晶闸管VS1控制极的电压大,这时晶闸管VX1能够导通,所以灯HL回路有电流流过,灯点亮。
调节可变电阻器RP1的阻值,可以改变RP1和R1的分压输出电压大小,从而可以改变晶闸管VS1触发电压大小,这样可以调整光线变暗到什么程度时晶闸管VS1导通,即实现暗时亮灯的调节。
如果RP1阻值调大,就需要R1更大的阻值(光线变暗),才能时晶闸管VS1点亮,反之,RP1阻值调小就能在光线不是很暗时亮灯。
光敏电阻(传感器)实物欣赏
现代传感器原理——光敏传感器
1.光敏传感器的定义及分类:
(1)定义:将光能变换为相应电能的装置。
(2)分类
1) 光电效应传感器:用光敏材料的光电效应制成的光敏器件。 分为外光电效应和内
光电效应器件
2) 固态图像传感器:包括电荷耦合器件的光电转换和电荷转移功能制成的 CCD 图像
传感器和用光敏二极管与 MOS 晶体管构成的将光信号变成电荷或电流信号的 CMOS 图
像传感器两大类。
3) 光纤传感器:是唯一的有源光敏传感器,利用发光管或激光管发射的光,通过光纤
传输到被检测对象,经检测对象调制后的光沿着光导纤维反射或发送到光接收器,再经
接受解调后变成电信号。
4) 新型光敏传感器:包括利用各种新型光电转换原理制备的传感器,应用广泛的有激
光传感器、核辐射传感器,高分子光电传感器。
2.外光电效应:在光照下,某些材料中的电子逸出表面而产生光电子发射的现象,称为外
光电效应。
3.光电导效应:光照射半导体时材料吸收光子而产生电子-空穴对使电导率增加的现象称为
光电导效应。
4.光生伏特效应:受到光照射时产生电位差的现象称为光生伏特效应。
5.PN 结光生伏特效应:将 PN 结受光照后两段产生电动势的现象称为 PN 结光生伏特效应。
6.固态图像传感器的分类:电荷耦合器件 CCD 、互补金属氧化物场效应管型图像传感器
CMOS 、电荷注入器件 CID 。
7.光纤传感器的基本组成和分类:
(1)基本组成:主要由光源、光纤与光探测器三部分组成。
(2)分类:
8.光纤传感器的调制类型:按调制类型不同,将光纤传感器原理分为强度调制、相位调制、
频率调制、时分调制和偏振调制等。
9.光电发射二极管的工作原理:光照到阴极上产生光电子,阳极电压使其加速,碰撞气体分
子,电离出更多电子和离子,又被加速,碰撞…电离,即发生了电子倍增效应,相当于具有放
大作用,达 10 倍左右。
10.光电倍增管的工作原理:光照到光阴极上产生光电子,在真空电场下被加速,投射到第
一个“打拿极”D1 上,一个光电子可产生多个电子,多次被加速而激发打拿极后电子数目倍
增。
11.光敏三级管的工作原理:无光照时,集电结反偏,热激发少子电子从基区 b 漂移入 c,
空穴自 c 到 b,形成暗电流 Icbo;发射结正偏 Icbo 扩散越过此结。B 区留下的正离子吸引 e
区电子,被 c 收集形成 ce 间的暗电流即反向截止电流 Iceo。有光照时,大量光生电子漂移
到 c,b 留下正离子会吸引 e 的电子,又被 c 收集而形成放大的电流。集电结产生的光电流
为 IL。
12.光敏电阻在自动控制照明装置的应用及其电路分析:见书 P59。
13.光敏三级管在光电脉冲转换电路的应用及其电路分析:见书 P73。
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