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霍尔磁传感器 从霍尔到磁阻,高精度磁传感升级进行时

发布时间:2024-11-24 23:11:25

从霍尔到磁阻,高精度磁传感升级进行时

磁传感是在现代工业和电子产品中应用得相当广泛的一类传感器件,通过把磁场、电流、应力应变、温度、光等外界因素引起的敏感元件磁性能变化转换成电信号来检测相应物理量变化。

在磁性位置传感器这一大类别里,有基于霍尔效应的磁传感器,有基于各向异性磁阻效应的AMR传感器,有基于巨磁阻效应的GMR传感器,还有基于隧道磁阻效应的TMR传感器,这些是目前位置传感应用里的核心传感技术,后面三者也被统称为磁阻传感器。

传统霍尔到3D霍尔

基于霍尔效应的磁传感器从应用端的使用率上来看无疑是最多的技术路线,技术成熟、结构简单、体积小重量轻且性价比高是它的优势。在很多高端应用场景,如汽车、机器人、工业自动化中,依然有着不少霍尔效应磁传感在应用。

这类场景中,3D霍尔效应位置传感器应用得越来越多,是近年来备受关注的传感器类型。3D霍尔传感器通过在X、Y和Z轴三个方向上放置个独立的霍尔元件,可以同时测量物体在三个轴上的磁场强度,从实现对物体的三维磁场感知。

3D霍尔效应位置传感器可以提供多个磁场范围以应对不同的强磁场环境保证可靠度。用高带宽进行测量的3D霍尔也提高了传感器感测的整体速度。

目前市面上可以提供3D霍尔传感器厂家相比于传统霍尔传感厂商还比较少,传统霍尔向3D霍尔转变难度不小。国内不少厂商都已经推出了3D霍尔传感,如灿瑞、昆泰芯、霍尔微等。

根据QYResearch发布的3D霍尔传感器行业分析报告,预计2029年全球3D霍尔传感器市场规模将达到1.9亿美元,近五年年复合增长率为8.5%。汽车、工业自动化、航空航天、智能家电等需要精确测量磁场的应用对高精度传感的需求在大力推动3D霍尔的发展。

汽车市场增长带动磁阻传感普及

三类磁阻传感都基于最原始的磁阻效应,即通有电流的导体上施加磁场,导体电阻值会发生明显的变化。AMR磁阻传感应用了电子的散射各向异性,GMR磁阻传感应用了磁性材料电阻率在磁场作用时变化幅度非常大的特性,TMR磁阻传感应用了穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的特性。

AMR、GMR和TMR,三种磁阻传感技术难度递增,结构复杂度、成本和工艺难度同样如此,与之相匹配的是更高的灵敏度和更大的磁阻效应。以代表灵敏度的磁电阻比ΔR/Rmin为例,AMR在3%左右,GMR在15%左右,TMR直接提高到50%以上。

这几类传感,在汽车传感、智能电网、新能源等磁场、电流测量领域有着不可替代的重要作用,近年来随着材料、元器件、电路技术以及传感技术的发展,这些高技术门槛高成本的技术应用也开始多了起来,正逐步取代霍尔成为新一代的集成化磁场传感器技术代表。

相关传感技术赛道上的厂商也越来越多,各厂商也一直在不断增强磁阻传感技术实力,NXP获得过TMR龙头厂商Crocus的技术授权;TDK收购了霍尔传感厂商Micronas,英飞凌在不断探索融合磁阻传感xMR兼顾各磁阻传感优势;多维科技在TMR和AMR产品上不断在推陈出新;Allegro重点布局在GMR赛道,同时在探索TMR赛道。

磁阻传感开始普及和汽车市场有着莫大的关系,汽车向电动化、智能化和网联化方向发展,对磁传感的需求大增,单个汽车搭载的磁传感数量和价值不断上涨。为了匹配汽车电子系统,磁阻传感开始加速渗透。

小结

从目前行业主要磁阻传感厂商的动向来看,融合磁传感技术正在成为风向,不论是霍尔加上磁阻传感技术的融合,还是不同磁阻传感技术的融合,在单一传感器上进行多路技术集成带来了更强的竞争力。可以预见未来磁传感市场会出现越来越多的组合技术式产品,以匹配高端电子设备系统的传感需求。

一文解析霍尔效应传感器

磁传感器将磁或磁编码信息转换为电信号,以便通过电子电路进行处理。

磁传感器是固态设备,它们变得越来越流行,因为它们可以用于许多不同类型的应用,例如感测位置,速度或定向运动。它们也是电子设计人员的一种流行的传感器选择,因为它们具有非接触式无磨损操作,低维护,坚固的设计以及密封的霍尔效应设备,不受振动,灰尘和水的影响。

磁传感器的主要用途之一是用于感测位置,距离和速度的汽车系统。例如,曲柄轴的角度位置用于火花塞的点火角度,汽车座椅和用于安全气囊控制的座椅安全带的位置或用于防抱死制动系统的车轮速度检测(ABS)。

磁传感器设计用于响应各种不同应用中的各种正负磁场,一种类型的磁传感器,其输出信号是其周围磁场密度的函数,称为霍尔效应传感器。

霍尔效应传感器是由外部磁场激活的设备。我们知道磁场有两个重要特性:磁通密度,(B)和极性(北极和南极)。霍尔效应传感器的输出信号是器件周围磁场密度的函数。当传感器周围的磁通密度超过某个预设阈值时,传感器检测到它并产生称为霍尔电压V H的输出电压。请看下图。

霍尔效应传感器原理

霍尔效应传感器基本上由一块薄的矩形p型半导体材料组成,例如砷化镓(GaAs),锑化铟(InSb)或砷化铟(InAs),它们通过自身连续的电流。当器件放置在磁场中时,磁通线在半导体材料上施加力,该力使电荷载流子,电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们经过半导体材料所经受的磁力的结果。

当这些电子和空穴移动侧边时,通过这些电荷载流子的积累在半导体材料的两侧之间产生电位差。然后,电子通过半导体材料的运动受到与其成直角的外部磁场的影响,并且这种效果在扁平矩形材料中更大。

通过使用磁场产生可测量电压的效果被称为18世纪70年代后发现它的霍华德霍尔的霍尔效应,霍尔效应的基本物理原理是洛伦兹力。以产生跨越所述装置的电势差的磁通线必须垂直,(90 ø到的电流的流动),并按照正确的极性,通常一个南极的。

霍尔效应提供有关磁极类型和磁场大小的信息。例如,南极会导致器件产生电压输出,而北极则无效。通常,当没有磁场存在时,霍尔效应传感器和开关被设计为处于“关闭”状态(开路状态)。它们仅在经受足够强度和极性的磁场时才变为“接通”,(闭路状态)。

霍尔效应磁传感器

基本霍尔元件的输出电压(称为霍尔电压,(V H))与通过半导体材料的磁场强度(输出αH )成正比 。这个输出电压可以非常小,即使受到强磁场也只有几微伏,因此大多数商用霍尔效应器件都是通过内置直流放大器,逻辑开关电路和稳压器制造的,以提高传感器的灵敏度,滞后和输出电压。这也使霍尔效应传感器能够在更广泛的电源和磁场条件下工作。

霍尔效应传感器

霍尔效应传感器提供线性或数字输出。线性(模拟)传感器的输出信号直接取自运算放大器的输出,输出电压与通过霍尔传感器的磁场成正比。该输出霍尔电压如下:

线性或模拟传感器提供连续的电压输出,其随着强磁场而增加,并且随着弱磁场而减小。在线性输出霍尔效应传感器中,随着磁场强度的增加,放大器的输出信号也会增加,直到它开始饱和电源施加的限制。任何额外的磁场增加都不会对输出产生影响,但会使其更加饱和。

另一方面,数字输出传感器具有施密特触发器,内置滞后连接到运算放大器。当通过霍尔传感器的磁通量超过预设值时,器件的输出在其“关闭”状态之间快速切换到“接通”状态而没有任何类型的接触反弹。当传感器移入和移出磁场时,这种内置滞后消除了输出信号的任何振荡。然后数字输出传感器只有两种状态,“ON”和“OFF”。

有两种基本类型的数字霍尔效应传感器,双极和单极。双极传感器需要一个正磁场(南极)来操作它们,一个负磁场(北极)释放它们,而单极传感器只需要一个磁性南极来操作和释放它们进出磁场领域。

大多数霍尔效应器件不能直接切换大电气负载,因为它们的输出驱动能力非常小,大约10到20mA。对于大电流负载,将一个集电极开路(电流吸收)NPN晶体管添加到输出端。

该晶体管在其饱和区域内作为NPN吸收开关工作,只要施加的磁通密度高于“ON”预设点,就会使输出端短接到地。

输出开关晶体管可以是开放式发射极晶体管,开路集电极晶体管配置或两者都提供推挽输出型配置,其可以吸收足够的电流以直接驱动许多负载,包括继电器,电动机,LED和灯。

霍尔效应应用

霍尔效应传感器由磁场激活,并且在许多应用中,该装置可以由连接到移动轴或装置的单个永磁体操作。有许多不同类型的磁铁运动,例如“正面”,“侧面”,“推拉”或“推 - 推”等感应运动。对于每种类型的配置,为确保最大灵敏度,磁通线必须始终垂直于设备的感应区域,并且必须具有正确的极性。

同样为了确保线性,需要高磁场强度的磁体,其对于所需的运动产生大的场强变化。有运动的用于检测磁场几个可能的路径,和下面是两个使用单个磁体更常见的感测配置的:头接通检测和侧身检测。

正面检测

顾名思义,“正面检测”要求磁场垂直于霍尔效应传感装置,并且为了检测,它直接朝向活动面接近传感器。一种“正面”的方法。

这种正面接近方法产生输出信号V H,其在线性装置中表示磁场强度,磁通密度,作为远离霍尔效应传感器的距离的函数。磁场越近,因此磁场越强,输出电压越大,反之亦然。

线性器件还可以区分正磁场和负磁场。可以使非线性装置在远离磁体的预设气隙距离处触发输出“ON”以指示位置检测。

侧向检测

第二传感配置是“侧向检测”。这需要以横向运动的方式将磁铁移过霍尔元件的表面。

侧向或滑动通过检测是用于检测磁场的存在,因为它移过霍尔元件的面例如固定的气隙距离内,计数旋转磁体或电动机的旋转速度是有用的。

取决于磁场经过传感器的零场中心线时的位置,可以产生表示正输出和负输出的线性输出电压。这允许定向移动检测,其可以是垂直的也可以是水平的。

霍尔效应传感器有许多不同的应用,尤其是接近传感器。它们可以代替光学和光传感器使用,环境条件包括水,振动,污垢或油,例如汽车应用。霍尔效应器件也可用于电流检测。

当电流通过导体时,会在其周围产生圆形电磁场。通过将霍尔传感器放置在导体旁边,可以从产生的磁场测量从几毫安到数千安培的电流,而无需大型或昂贵的变压器和线圈。

除了检测磁铁和磁场的存在与否,霍尔效应传感器还可以通过在设备的有效区域后面放置一个小的永久“偏置”磁铁来检测铁磁材料,如铁和钢。传感器现在处于永久和静态磁场中,通过引入含铁材料对该磁场的任何变化或干扰都将被检测到,其灵敏度可能低至mV / G.

根据设备的类型,无论是数字还是线性,有许多不同的方法可将霍尔效应传感器连接到电气和电子电路。一个非常简单且易于构造的示例是使用如下所示的发光二极管。

位置检测器

当没有磁场存在时,该正面位置检测器将“关闭”(0高斯)。当永磁体南极(正高斯)垂直向霍尔效应传感器的有效区域移动时,器件变为“ON”并点亮LED。一旦切换为“ON”,霍尔效应传感器就会保持“ON”状态。

为了使设备和LED“关闭”,必须将磁场降低到单极传感器的释放点以下或暴露于双极传感器的磁北极(负高斯)。如果需要霍尔效应传感器的输出来切换较大的电流负载,则可以用更大的功率晶体管代替LED 。

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