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塔爵士传感器 起底TowerJazz 它能为尼康Z9提供传感器么?

发布时间:2024-11-24 06:11:22

起底TowerJazz 它能为尼康Z9提供传感器么?

在上周,尼康官宣正在开发旗舰无反相机Z9,它搭载了一块FX格式(全画幅)的堆栈式CMOS传感器,支持8K视频,其它规格不祥。在相机进入数码时代后,图像传感器成了决定胜负的关键之一,佳能一度凭借自产全画幅CMOS图像传感器(下面简写为CIS),力压尼康多年,直到尼康D3问世才改变局面。在进入无反相机时代,索尼凭借自产CIS成功改变了相机市场版图,佳能EOS R5只能靠着处理器与镜头群扳回一局。

在无反相机市场中,尼康无疑是落后于竞争对手的一个,Z9将会成为扭转乾坤的关键,它搭载堆栈式CIS来自何方,会是TowerJazz么?其实TowrJazz早不叫TowerJazz Semiconductor,它在2020初改名为Tower Semiconductor,但出于习惯与不熟悉,摄影圈子更喜欢称它为TowerJazz,它与尼康首次建立联系是在去年与投资者和分析师的在线会议中,把尼康Z50无反相机、D7500单反相机相机加入到PPT当中。

而尼康在数码时代里,一直向第三方购买CIS或是寻求代工,为尼康生产过CIS除了索尼还有瑞萨、Aptina、东芝,只可惜瑞萨在多年前退出了CIS市场,Aptina被安森美收购,东芝在爆出丑闻后半导体业务卖给索尼,尼康急需一个新的企业为它代工CIS,因此和Tower Semiconductor有着广泛合作空间。那Tower Semiconductor有可能成为Z9的传感器的代工厂么,这必须先看它是否具备这个实力。

从目前消息看,Z9的CIS具备四个特性:全画幅、8K、BSI与堆栈式。要实现8K,CIS横向至少要有7680个像素,在全画幅下,单个像素大小最大不超过4.7× 4.7 μm,需要较为先进的制程——最好是180nm或线宽更小的工艺,并采用铜互连工艺,否则功耗会非常可怕,速度也难以提升。在尼康新闻稿中没有提到Z9采用BSI技术,但堆栈式是在CIS下面封装一块DRAM作为缓存,用以消除滚转快门的果冻效应,CIS与DRAM之间是通过TSV(Through Silicon Via,硅通孔)工艺连接起来。FSI CIS的逻辑层位于光电二极管之上,也就是位于CIS的上半层,无法通过TSV工艺连接到下方的DRAM,因此Z9的CIS必定是BSI。

那Tower Semiconductor具备生产 Z9的能力么?Tower Semiconductor是一家创立于1993年的半导体企业,总部位于以色列Migdal Haemek,在2008年收购了半导体Jazz Semiconductor,并在其后一年成立了联合公司TowerJazz Semiconductor。在2014年时候,它与松下达成了交易,收购了松下三座半导体工厂,成立了名为TowrJazz Panasonic Semiconductor Co.,在2020年3月起采用新名字Tower Semiconductor。Tower Semiconductor擅长生产射频前端、电源管理、CIS等模拟芯片,晶圆厂分布于以色列、美国、日本多地。

按照Tower Semiconductor官网CMOS IMAGE SENSORS页面中介绍,它应用CIS上制程有180nm、110nm和65nm三种,180nm可用于生产3.6-6 μm像素大小、滚转快门的电影机用CIS或是4-6 μm像素大小、全局快门的广播机用CIS,110nm可用于生产3.8-5μm像素大小、滚转快门的(单反)相机用CIS,65nm可用于生产3.2-7 μm像素大小、滚转快门的相机/电影机用CIS,其中180nm、110nm采用的是8英寸晶圆,65nm采用的是12英寸晶圆,最为适合生产大尺寸的全画幅CIS。显然,Tower Semiconductor具备先进的制程与铜互连工艺(110nm、65nm必然是铜互连工艺,不然功耗会上天),能够生产出8K全画幅CIS。

在去年Tower Semiconductor获得了Xperi Holding的Invensas Zibond和DBI 3D半导体互联技术授权,该技术适用于8英寸、12英寸晶圆上生产全局快门、堆栈式BSI CMOS类型传感器,应用在dToF类似芯片上最小可实现10μm像素大小,当应用在ToF芯片上时更可缩小到2.5μm或更小。到了去年11月Tower Semiconductor进一步表示,利用BSI堆栈式技术后能设计出更为先进的传感器,并制成了iTOF、dTOF和1英寸高性能传感器。至此可以肯定,Tower Semiconductor具备BSI与堆栈式技术,并能用于量产,扫清了代工Z9 CIS的障碍。

在今年2月,尼康在ISSCC(国际固态电路会议)上公布了一块1英寸BSI CMOS传感器,它采用了堆栈式结构,由65nm CIS与65nm DRAM组合而成,单个像素大小为2.7×2.7 μm,总像素为1784万(4224×4224),最高能以4K1000P速度输出,动态范围为110db,若输出速度降低到4K60P,动态范围将提升至134db。而且分为264×264块,即16×16像素为一块,逻辑电路能独立控制每一块的曝光时间,能捕捉更高动态范围,实现硬件级别的HDR,可见尼康已经具备设计先进堆栈式CIS的能力。

目前无法判断尼康新1英寸CIS与Tower Semiconductor有什么联系,但可以肯定的是Tower Semiconductor具备代工Z9 CIS的能力,而且Z9性能是可以期望的。

TowerJazz和Crocus携手规模量产TMR磁传感器

据麦姆斯咨询报道,全球专业代工领导者和TMR(隧道磁阻)技术及嵌入式MRAM(磁随机存储器)领先开发商Crocus公司,近日共同宣布双方将利用公司Cu BEOL(后道工序)中具有专用磁模块的0.13um CMOS工艺,大规模量产Crocus公司的TMR传感器。Crocus公司通过将自己的磁传感器制造工艺、专有技术和IP,结合TowerJazz公司的工艺技术及集成经验,成功的将TMR技术授权给了一家汽车Tier 1客户,为合作双方带来了业务提升。

数月前,Crocus公司曾宣布,将其先进的TMR磁传感技术相关IP授权给汽车半导体解决方案全球领导者NXP Semiconductors(恩智浦半导体)。TMR技术能够帮助实现动力转向和电子节气门控制(ETC)等下一代应用。授权合作将帮助NXP为其汽车应用带来更高的灵敏度和性能,进一步降低功耗,提高集成度。

据麦姆斯咨询此前报道,2015年全球磁传感器市场规模约为22.5亿美元,预计到2022年将增长至41.6亿美元,2016~2022年期间的复合年增长率为8.87%。市场增长的驱动力主要源自多个垂直产业对高品质传感器件的需求增长,尤其是汽车产业对MEMS磁传感器需求的增长,以及在消费电子应用中的持续增长。

能够感知磁场强度的磁换能器广泛应用于现代产业和电子设备中,用于测量电流、位置、运动、方向及其它物理参数。Crocus公司的TMR技术是一种基于CMOS工艺的强大技术,在灵敏度、性能、功耗、尺寸方面具有重要优势,并能与CMOS工艺完全整合,打造单芯片IC,能够为客户带来更低的功耗、更坚固的器件设计以及高温性能。Crocus的TMR解决方案非常理想的适用于物联网、消费类、医疗、汽车以及工业设备等应用。

“我们之所以选择TowerJazz,是因为它们能够灵活的将其TS13平台整合我们包含磁性材料的TMR技术,而CMOS工艺中一般不会应用磁性材料。TowerJazz的大规模制造经验,可以帮助我们成功的满足多个市场对下一代传感器的性能需求。我们已经和TowerJazz合作多年,双方共同努力使技术越来越成熟,不断开拓业务和IP授权,” Crocus首席执行官Michel Desbard评价道。

“随着我们的日常生活对物联网应用的需求日益增长,市场对智能传感、低功耗及传感器性能的需求与日俱增。Crocus公司成功的授权了它们的IP,结合TowerJazz的制造能力和专有技术,将使我们能够为各个市场的众多客户提供先进的、极具竞争力的嵌入式解决方案。通过双方的合作,拓宽了我们在传感器市场的布局,补充了我们的MEMS和图像传感器规划,” TowerJazz公司TOPS BU和研发工艺部副总裁Zmira Shternfeld-Lavie如是说。

Crocus公司的TMR磁传感器预计将在许多应用领域取代现有的传感器技术。Crocus公司的TMR磁传感器产品家族包括了基于其Magnetic Logic Unit(MLU)技术的多种架构,MLU技术是Crocus公司专利保护的一种基于CMOS的突破性磁传感技术。

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