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传感器绝缘 纳芯微取得电流传感器空洞缺陷的检测方法及检测系统专利,解决电流传感器绝缘能力下降甚至耐压损坏的技术问题

发布时间:2024-10-06 17:10:30

纳芯微取得电流传感器空洞缺陷的检测方法及检测系统专利,解决电流传感器绝缘能力下降甚至耐压损坏的技术问题

金融界2023年12月6日消息,据国家知识产权局公告,苏州纳芯微电子股份有限公司取得一项名为“电流传感器空洞缺陷的检测方法及检测系统“,授权公告号CN115128534B,申请日期为2022年6月。

专利摘要显示,本发明公开了一种电流传感器空洞缺陷的检测方法及检测系统,其中,所述方法包括:将电流传感器的原边电流输入端和原边电流输出端短路式电连接以形成第一检测端,将电流传感器的副边信号输出端短路式电连接以形成第二检测端;将第一检测端和第二检测端分别与局部放电检测装置电连接;触发局部放电检测装置向第一检测端和第二检测端输出具有预设波形的测试电压,并检测电流传感器响应于测试电压的累积电荷量;根据累积电荷量确定电流传感器的隔离绝缘层中的空洞的体积占比。本发明所提供的技术方案能够解决现有技术中电流传感器在封装过程中可能产生内部空洞缺陷,从而导致电流传感器的绝缘能力下降甚至耐压损坏的技术问题。

本文源自金融界

三星取得图像传感器专利,可实现滤色器埋置在绝缘结构中的图像传感器

金融界2023年12月25日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“图像传感器及其制造方法”的专利,授权公告号CN108281434B,申请日期为2018年1月。

专利摘要显示,本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器,所述图像传感器包括:衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;第一浮置扩散区,其设置在衬底中并且与第一表面相邻;穿通电极,其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区;顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极;滤色器,其埋置在绝缘结构中;以及顶部接触插塞,其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。

本文源自金融界

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