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变磁阻式传感器的工作原理 变磁阻式传感器工作原理 变磁阻式传感器的应用

发布时间:2024-11-24 07:11:19

变磁阻式传感器工作原理 变磁阻式传感器的应用

  

变磁阻式传感器 (又称自感式电感传感器)属于电感式传感器的一种。它是利用线圈自感量的变化来实现测量的,它由线圈、铁芯和衔铁三部分组成。接下来AMEYA360电子元器件采购网给大家介绍一下"变磁阻式传感器工作原理以及变磁阻式传感器的应用"。

  一、变磁阻式传感器工作原理

  将位移、转速、加速度等非电物理量转换为磁阻变化的传感器。它包括电感式传感器、变压器式传感器和电涡流式传感器。

  变磁阻式转速传感器 它属于变磁阻式传感器。变磁阻式传感器的三种基本类型,电感式传感器、变压器式传感器和电涡流式传感器都可制成转速传感器。电感式转速传感器应用较广,它利用磁通变化而产生感应电势,其电势大小取决于磁通变化的速率。这类传感器按结构不同又分为开磁路式和闭磁路式两种。开磁路式转速传感器结构比较简单,输出信号较小,不宜在振动剧烈的场合使用。闭磁路式转速传感器由装在转轴上的外齿轮、内齿轮、线圈和永久磁铁构成。内、外齿轮有相同的齿数。当转轴连接到被测轴上一起转动时,由于内、外齿轮的相对运动,产生磁阻变化,在线圈中产生交流感应电势。测出电势的大小便可测出相应转速值。

  二、变磁阻式传感器的应用

  铁芯和衔铁由导磁材料如硅钢片或坡莫合金制成,在铁芯和衔铁之间有气隙,传感器的运动部分与衔铁相连。当被测量变化时,使衔铁产生位移,引起磁路中磁阻变化,从而导致电感线圈的电感量变化,因此只要能测出这种电感量的变化,就能确定衔铁位移量的大小和方向。

  变磁阻式传感器可以用于测量位移和尺寸,也可以测量能够转换为位移量的其他参数力、张力、压力、压差、应变、转短、速度和加速度等。

  利用被测量的变化引起线圈自感或互感系数的变化,从而导致线圈电感量改变这一物理现象来实现测量。其应用为:

  1、压力测量

  2、与力矩的测量

  优点:承受轴向力时应力分布均匀;当长泾比较小时,受横向偏心的分力的影响较小。

  3、加速度测量 4.位移的测量 5.振幅的测量 6.厚度测量 7.转速测量 8.涡流探伤.

磁阻效应传感器工作原理

  磁阻效应传感器概述

  磁阻效应传感器是根据磁性材料的磁阻效应制成的。磁性材料(如坡莫合金)具有各向异性,对它进行磁化时,其磁化方向将取决于材料的易磁化轴、材料的形状和磁化磁场的方向。当给带状坡莫合金材料通电流I时,材料的电阻取决于电流的方向与磁化方向的夹角。如果给材料施加一个磁场B(被测磁场),就会使原来的磁化方向转动。如果磁化方向转向垂直于电流的方向,则材料的电阻将减小;如果磁化方向转向平行于电流的方向,则材料的电阻将增大。磁阻效应传感器一般有四个这样的电阻组成,并将它们接成电桥。在被测磁场B作用下,电桥中位于相对位置的两个电阻阻值增大,另外两个电阻的阻值减小。在其线性范围内,电桥的输出电压与被测磁场成正比。

  磁阻传感器已经能制作在硅片上,并形成产品。其灵敏度和线性度已经能满足磁罗盘的要求,各方面的性能明显优于霍尔器件。迟滞误差和零点温度漂移还可采用对传感器进行交替正向磁化和反向磁化的方法加以消除。由于磁阻传感器的这些优越性能,使它在某些应用场合能够与磁通门竞争。

  FNN-3300就是用的磁阻传感器,在市场上占据很重要的地位,所以证明在电子罗盘中磁阻式的是优于霍尔效应及磁通门的。

  磁阻效应传感器工作原理

  磁阻元件类似霍尔元件,但它的工作原理是利用半导体材料的磁阻效应(或称高斯效应)。与霍尔效应的区别如下;即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压,而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。

  表示一种测量位移的磁阻效应传感器。将磁阻元件置于磁场中,当它相对于磁场发生位移时,元件内阻R1、R2发生变化,如果将它们接于电桥,则其输出电压比例于电阻的变化。

  产生磁阻效应的原理:

  磁阻效应与材料性质及几何形状有关,一般迁移率大的材料,磁阻效应愈显著;元件的长、宽比愈小,磁阻效应愈大。

  磁阻元件可用于位移、力、加速度等参数的测量。

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